BLF1046,112

BLF1046, BLF1046,112

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBLF1046,112
Корпус мікросхеми
Корпус
2-LDMOST, SOT467C
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
65 В
Постійний струм стоку
IDSS
4.5 А
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
LDMOS
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
960 МГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
45 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
14 дБ