BLA1011-10,112

BLA1011, BLA1011-10,112, BLA1011-200,112, BLA1011-2,112, BLA1011-300,112, BLA1011S-200,112

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBLA1011-10,112BLA1011-200,112BLA1011-2,112BLA1011-300,112BLA1011S-200,112
Корпус мікросхеми
Корпус
2-LDMOST, SOT467C2-LDMOST, SOT502ASOT-538A2-LDMOST, SOT957A2-LDMOST, SOT502B
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
75 В75 В75 В65 В75 В
Постійний струм стоку
IDSS
2.2 А1 мкА2.2 А15 А1 мкА
Технологія виготовлення польового транзистора
Технологія
LDMOS
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Частота
f
1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц1.03 ГГц1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц1.03 ГГц ~ 1.09 ГГц1.03 ГГц
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
P1dB
P1dB
10 Вт200 Вт2 Вт300 Вт200 Вт
Коефіцієнт підсилення
KdB
15 дБ13 дБ16 дБ16.5 дБ13 дБ