На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BG3130E6327 | BG3130RE6327 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | |
Коефіцієнт шума | NF | 1.3 дБ | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 8 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | 25 мА | |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 800 МГц | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 24 дБ | |