На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BF909,215 | BF909AWR,115 | BF909WR,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-343R | CMPAK-4 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||
Коефіцієнт шума | NF | 2 дБ | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 7 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | 40 мА | ||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET Dual Gate | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Частота | f | 800 МГц | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |||