На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BF908,215 | BF908WR,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | CMPAK-4 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Коефіцієнт шума | NF | 600 мдБ | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 12 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | 40 мА | |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET Dual Gate | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Частота | f | 200 МГц | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | ||