На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BF1212,215 | BF1212R,215 | BF1212WR,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SC-61B | CMPAK-4 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||
Коефіцієнт шума | NF | 900 мдБ | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 6 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | 30 мА | ||
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET Dual Gate | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Частота | f | 400 МГц | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |||
Коефіцієнт підсилення | KdB | 30 дБ | ||