На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BF1109WR,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | CMPAK-4 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Коефіцієнт шума | NF | 1.5 дБ |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 11 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 30 мА |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET Dual Gate |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 800 МГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 20 дБ |