На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BF1102R,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Коефіцієнт шума | NF | 2 дБ |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 7 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 40 мА |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET Dual Gate |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 800 МГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів |