На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | 3SK263-5-TG-E | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co |
Коефіцієнт шума | NF | 2.2 дБ |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | 15 В |
Постійний струм стоку | IDSS | 30 мА |
Технологія виготовлення польового транзистора | Технологія | MOSFET Dual Gate |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Частота | f | 200 МГц |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | |
Коефіцієнт підсилення | KdB | 21 дБ |