На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | VB30200C-E3/4W | VB30200C-E3/8W | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |
Пряма напруга | UF | 1.1 ВIf = 15A | |
Зворотна напруга | UR | <200 В | |
Прямий струм | IF | <15 А | |
Зворотний струм | IR | <160 мкАUr = 200V | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Технологія діода | Технологія | Schottky | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) | |