На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | UGB8JCT-E3/81 | UGB8JCTHE3/45 | UGB8JCTHE3/81 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | ||
Пряма напруга | UF | 1.75 ВIf = 4A | ||
Зворотна напруга | UR | <600 В | ||
Прямий струм | IF | <8 А | ||
Зворотний струм | IR | <300 мкАUr = 600V | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <50 нс | ||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | ||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | ||
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) | ||