На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | UGB10GCT-E3/45 | UGB10GCT-E3/81 | UGB10GCTHE3/45 | UGB10GCTHE3/81 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | Vishay/General Semiconductor | |||
Пряма напруга | UF | 1.3 ВIf = 5A | |||
Зворотна напруга | UR | <400 В | |||
Прямий струм | IF | <5 А | |||
Зворотний струм | IR | <10 мкАUr = 400V | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <50 нс | |||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) | |||