На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SDB20S30 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | PG-TO263 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies |
Пряма напруга | UF | 1.7 ВIf = 10A |
Зворотна напруга | UR | <300 В |
Прямий струм | IF | <10 А |
Зворотний струм | IR | <200 мкАUr = 300V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Тривалість періоду відновлення | tREC | <0 |
Технологія діода | Технологія | Silicon Carbide |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) |