На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | SBT80-04J | SBT80-06LS | SBT80-10LS | |
|---|---|---|---|---|
Виробник | Виробник | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | ||
Пряма напруга | UF | 550 мВIf = 3A | 580 мВIf = 3A | 800 мВIf = 3A |
Зворотна напруга | UR | <40 В | <60 В | <100 В |
Прямий струм | IF | <8 А | ||
Зворотний струм | IR | <100 мкАUr = 20V | <100 мкАUr = 10V | <100 мкАUr = 50V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Технологія діода | Технологія | Schottky | ||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | ||
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) | ||