На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBD2836LT1 | MMBD2836LT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Пряма напруга | UF | 1.2 ВIf = 100mA | |
Зворотна напруга | UR | <75 В | |
Прямий струм | IF | <100 мА | |
Зворотний струм | IR | <100 нАUr = 50V | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Тривалість періоду відновлення | tREC | <4 нс | |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Small Signal =< 200ma | |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 (спільний анод) | |