На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MBRB41H100CT-1G | MBRB41H100CTT4G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Пряма напруга | UF | 800 мВIf = 20A | |
Зворотна напруга | UR | <100 В | |
Прямий струм | IF | <20 А | |
Зворотний струм | IR | <10 мкАUr = 100V | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий |
Технологія діода | Технологія | Schottky | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) | |
Серія діодів | Серія | SWITCHMODE™ | |