На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MBRB30H60CT-1G | MBRB30H60CT-E3/81 | MBRB30H60CTHE3/81 | MBRB30H60CTT4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor | ON Semiconductor |
Пряма напруга | UF | 620 мВIf = 15A | 820 мВIf = 15A | 820 мВIf = 15A | 620 мВIf = 15A |
Зворотна напруга | UR | <60 В | |||
Прямий струм | IF | <15 А | |||
Зворотний струм | IR | <300 мкАUr = 60V | <60 мкАUr = 60V | <60 мкАUr = 60V | <300 мкАUr = 60V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Технологія діода | Технологія | Schottky | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) | |||
Серія діодів | Серія | SWITCHMODE™ | (не задано) | (не задано) | SWITCHMODE™ |