BYW51G-200-TR

BYW51G-200, BYW51G-200-TR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBYW51G-200-TR
Корпус мікросхеми
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Пряма напруга
UF
850 мВIf = 8A
Зворотна напруга
UR
<200 В
Прямий струм
IF
<10 А
Зворотний струм
IR
<15 мкАUr = 200V
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
<35 нс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery
Тип з'єднання діодів у збірці
З'єднання
2 ( спільний катод)