На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BYV32E-100,127 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Пряма напруга | UF | 1.15 ВIf = 20A |
Зворотна напруга | UR | <100 В |
Прямий струм | IF | <20 А |
Зворотний струм | IR | <30 мкАUr = 100V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Тривалість періоду відновлення | tREC | <25 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) |