BYQ28ED-200,118

BYQ28ED-200, BYQ28ED-200,118

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBYQ28ED-200,118
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Пряма напруга
UF
1.25 ВIf = 10A
Зворотна напруга
UR
<200 В
Прямий струм
IF
<10 А
Зворотний струм
IR
<10 мкАUr = 200V
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
<25 нс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Fast Recovery
Тип з'єднання діодів у збірці
З'єднання
2 ( спільний катод)