На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BYQ28E-200,127 | BYQ28E-200-E3/45 | BYQ28E-200HE3/45 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB-3 | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Vishay/General Semiconductor | Vishay/General Semiconductor |
Пряма напруга | UF | 1.25 ВIf = 10A | 1.1 ВIf = 5A | 1.1 ВIf = 5A |
Зворотна напруга | UR | <200 В | ||
Прямий струм | IF | <10 А | <5 А | <5 А |
Зворотний струм | IR | <10 мкАUr = 200V | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <25 нс | ||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | ||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | ||
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) | ||