BAW56T-7

BAW56T, BAW56T,115, BAW56T116, BAW56T-7, BAW56T-7-F, BAW56TA, BAW56TE6327, BAW56TT1, BAW56TT1G, BAW56T-TP

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрBAW56T,115BAW56T116BAW56T-7BAW56T-7-FBAW56TABAW56TE6327BAW56TT1BAW56TT1GBAW56T-TP
Корпус мікросхеми
Корпус
EMT3 (SOT-416)SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-75-3, SOT-416, EMT3SC-75-3, SOT-416, EMT3
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsRohm SemiconductorDiodes IncDiodes IncDiodes/ZetexInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Пряма напруга
UF
1 ВIf = 50mA1.25 ВIf = 150mA1 ВIf = 50mA1 ВIf = 50mA1.25 ВIf = 150mA1.25 ВIf = 150mA1.25 ВIf = 150mA1.25 ВIf = 150mA1.25 ВIf = 150mA
Зворотна напруга
UR
<90 В<70 В<85 В<85 В<75 В<80 В<70 В<70 В<85 В
Зворотний струм
IR
<500 нАUr = 80V<1 мкАUr = 75V<2 мкАUr = 75V<2 мкАUr = 75V<2.5 мкАUr = 75V<150 нАUr = 70V<2.5 мкАUr = 70V<2.5 мкАUr = 70V<2 мкАUr = 75V
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тривалість періоду відновлення
tREC
<4 нс<4 нс<4 нс<4 нс<4 нс<4 нс<6 нс<6 нс<4 нс
Технологія діода
Технологія
Стандарт
Клас швидкості діода
Швидкість
Small Signal =< 200maFast RecoverySmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200maFast RecoverySmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200maSmall Signal =< 200ma
Тип з'єднання діодів у збірці
З'єднання
2 (спільний анод)