На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAW56S,115 | BAW56S,135 | BAW56SB6327 | BAW56SE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Пряма напруга | UF | 1 ВIf = 50mA | 1 ВIf = 50mA | 1.25 ВIf = 150mA | 1.25 ВIf = 150mA |
Зворотна напруга | UR | <90 В | <90 В | <80 В | <80 В |
Зворотний струм | IR | <500 нАUr = 80V | <500 нАUr = 80V | <150 нАUr = 70V | <150 нАUr = 70V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <4 нс | |||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | Fast Recovery | Small Signal =< 200ma | Small Signal =< 200ma |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | (не задано) | (не задано) | 4 (спільний анод) | 4 (спільний анод) |