На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAW56M,315 | BAW56M3T5G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-101 | |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ON Semiconductor |
Пряма напруга | UF | 1 ВIf = 50mA | 1.25 ВIf = 150mA |
Зворотна напруга | UR | <90 В | <75 В |
Зворотний струм | IR | <500 нАUr = 80V | <2.5 мкАUr = 70V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Тривалість періоду відновлення | tREC | <4 нс | <6 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |
Клас швидкості діода | Швидкість | Small Signal =< 200ma | |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 (спільний анод) | |