На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAV99S,115 | BAV99S,135 | BAV99SE6327 | BAV99SE6433 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6 | |||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Пряма напруга | UF | 1.25 ВIf = 150mA | |||
Зворотна напруга | UR | <100 В | <100 В | <80 В | <80 В |
Зворотний струм | IR | <1 мкАUr = 75V | <1 мкАUr = 75V | <150 нАUr = 70V | <150 нАUr = 70V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <4 нс | |||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Small Signal =< 200ma | |||