На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAV23S,215 | BAV23S,235 | BAV23S-7 | BAV23S-7-F | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc |
Пряма напруга | UF | 1 ВIf = 100mA | 1 ВIf = 100mA | 1.25 ВIf = 200mA | 1.25 ВIf = 200mA |
Зворотна напруга | UR | <200 В | |||
Прямий струм | IF | <200 мА | |||
Зворотний струм | IR | <100 нАUr = 200V | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <50 нс | |||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | |||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | |||