На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAV23C,215 | BAV23C-7 | BAV23C-7-F | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc |
Пряма напруга | UF | 1.25 ВIf = 200mA | ||
Зворотна напруга | UR | <200 В | ||
Зворотний струм | IR | <100 нАUr = 200V | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <50 нс | ||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | ||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | ||
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 ( спільний катод) | ||