На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAS40-06,215 | BAS40-06,235 | BAS40-06-7 | BAS40-06-7-F | BAS40-06B5003 | BAS40-06E6327 | BAS40-06E6433 | BAS40-06LT1 | BAS40-06LT1G | BAS40-06T-7-F | BAS40-06-TP | BAS40-06W,115 | BAS40-06WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3 | ||||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc | Micro Commercial Co | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Пряма напруга | UF | 1 ВIf = 40mA | ||||||||||||
Зворотна напруга | UR | <40 В | ||||||||||||
Зворотний струм | IR | <10 мкАUr = 40V | <10 мкАUr = 40V | <200 нАUr = 30V | <200 нАUr = 30V | <1 мкАUr = 30V | <1 мкАUr = 30V | <1 мкАUr = 30V | <1 мкАUr = 25V | <1 мкАUr = 25V | <200 нАUr = 30V | <200 нАUr = 30V | <10 мкАUr = 40V | <1 мкАUr = 30V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||||||
Тривалість періоду відновлення | tREC | (не задано) | (не задано) | <5 нс | <5 нс | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <5 нс | <5 нс | (не задано) | (не задано) |
Технологія діода | Технологія | Schottky | ||||||||||||
Клас швидкості діода | Швидкість | Small Signal =< 200ma | ||||||||||||
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 (спільний анод) | ||||||||||||