На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAS35,215 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Пряма напруга | UF | 900 мВIf = 100mA |
Зворотна напруга | UR | <90 В |
Прямий струм | IF | <200 мА |
Зворотний струм | IR | <100 нАUr = 90V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Тривалість періоду відновлення | tREC | <50 нс |
Технологія діода | Технологія | Avalanche |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | 2 (спільний анод) |