На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAS31,215 | BAS31,235 | BAS31_D87Z | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor |
Пряма напруга | UF | 900 мВIf = 100mA | 900 мВIf = 100mA | 1 ВIf = 200mA |
Зворотна напруга | UR | <90 В | <90 В | <120 В |
Прямий струм | IF | <200 мА | ||
Зворотний струм | IR | <100 нАUr = 90V | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <50 нс | ||
Технологія діода | Технологія | Avalanche | Avalanche | Стандарт |
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | Fast Recovery | Small Signal =< 200ma |