На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAS21SLT1 | BAS21SLT1G | BAS21S-TP | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co |
Пряма напруга | UF | 1.25 ВIf = 200mA | 1.25 ВIf = 200mA | 1.1 ВIf = 100mA |
Зворотна напруга | UR | <250 В | ||
Зворотний струм | IR | <100 нАUr = 200V | <100 нАUr = 200V | <1 мкАUr = 200V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Тривалість періоду відновлення | tREC | <50 нс | ||
Технологія діода | Технологія | Стандарт | ||
Клас швидкості діода | Швидкість | Fast Recovery | Fast Recovery | Small Signal =< 200ma |