На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BAS101S,215 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Пряма напруга | UF | 1.1 ВIf = 100mA |
Зворотна напруга | UR | <300 В |
Зворотний струм | IR | <150 нАUr = 250V |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Тривалість періоду відновлення | tREC | <50 нс |
Технологія діода | Технологія | Стандарт |
Клас швидкості діода | Швидкість | Small Signal =< 200ma |