MMBV2109LT1

MMBV2109, MMBV2109LT1, MMBV2109LT1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMMBV2109LT1MMBV2109LT1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Зворотна напруга
UR
<30 В
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тип з'єднання діодів у збірці
З'єднання
Single
Тип
Тип
TUNING
Номінальна ємність
Ємність
36.3 пФVr, F = 4V, 1MHz
Співвідношення мінімальної та максимальної ємності
Відн. ємності
3.2
Добротность
Q
200Vr, F = 4V, 50MHz
Керуюча напруга варикапу
Vvar
2 В ~ 30 В