На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBV2101LT1 | MMBV2101LT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Зворотна напруга | UR | <30 В | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | Single | |
Тип | Тип | TUNING | |
Номінальна ємність | Ємність | 7.5 пФVr, F = 4V, 1MHz | |
Співвідношення мінімальної та максимальної ємності | Відн. ємності | 3.2 | |
Добротность | Q | 450Vr, F = 4V, 50MHz | |
Керуюча напруга варикапу | Vvar | 2 В ~ 30 В | |