На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MMBV105GLT1 | MMBV105GLT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Зворотна напруга | UR | <30 В | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | Single | |
Тип | Тип | TUNING | |
Номінальна ємність | Ємність | 2.8 пФVr, F = 25V, 1MHz | |
Співвідношення мінімальної та максимальної ємності | Відн. ємності | 6.5 | |
Добротность | Q | 250Vr, F = 3V, 50MHz | |
Керуюча напруга варикапу | Vvar | 3 В ~ 25 В | |