На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | JDV2S01ETH3FT | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 1-1G1A |
Виробник | Виробник | Toshiba |
Зворотна напруга | UR | <10 В |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | Single |
Тип | Тип | VARICAP |
Номінальна ємність | Ємність | 1.81 пФVr, F = 4V, 1MHz |
Співвідношення мінімальної та максимальної ємності | Відн. ємності | 2 |
Керуюча напруга варикапу | Vvar | 1 В ~ 4 В |