На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | BBY58-02LE6327 | BBY58-02VE6327 | BBY58-02WE6127 | BBY58-02WE6327 | BBY58-03WE6327 | BBY58-05WE6327 | BBY58-06WE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TSLP-2-1 | SC-79 | SCD 80 | SCD 80 | SOD-323 | SOT-323 | SOT-323 |
Виробник | Виробник | Infineon Technologies | ||||||
Зворотна напруга | UR | <10 В | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Тип з'єднання діодів у збірці | З'єднання | Single | Single | Single | Single | Single | 2 ( спільний катод) | 2 (спільний анод) |
Тип | Тип | TUNING | TUNING | TUNING | TUNING | TUNING | TUNING HIGH Q | TUNING HIGH Q |
Номінальна ємність | Ємність | 5.5 пФVr, F = 6V, 1MHz | ||||||
Співвідношення мінімальної та максимальної ємності | Відн. ємності | 3.5 | ||||||
Керуюча напруга варикапу | Vvar | 1 В ~ 4 В | ||||||