1SV329TH3FT

1SV329, 1SV329TH3FT

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр1SV329TH3FT
Корпус мікросхеми
Корпус
1-1G1A
Виробник
Виробник
Toshiba
Зворотна напруга
UR
<10 В
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тип з'єднання діодів у збірці
З'єднання
Single
Тип
Тип
VCO UHF BAND
Номінальна ємність
Ємність
2.45 пФVr, F = 4V, 1MHz
Співвідношення мінімальної та максимальної ємності
Відн. ємності
2.8
Керуюча напруга варикапу
Vvar
1 В ~ 4 В