1SV325TH3FT

1SV325, 1SV325TH3FT

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр1SV325TH3FT
Корпус мікросхеми
Корпус
1-1G1A
Виробник
Виробник
Toshiba
Зворотна напруга
UR
<10 В
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Тип з'єднання діодів у збірці
З'єднання
Single
Тип
Тип
TCXO/VCO
Номінальна ємність
Ємність
12 пФVr, F = 4V, 1MHz
Співвідношення мінімальної та максимальної ємності
Відн. ємності
4.3
Керуюча напруга варикапу
Vvar
1 В ~ 4 В