На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMN3A06DN8TA | ZXMN3A06DN8TC | ZXMN3A06N8TA | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC (3.9мм ширина) | ||
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <1.25 Вт | <1.25 Вт | (не задано) |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 796 пФVds = 25V | 796 пФVds = 25V | (не задано) |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.9 А | <4.9 А | (не задано) |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <35 мОмId, Vgs = 9A, 10V | <35 мОмId, Vgs = 9A, 10V | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 17.5 нCVgs = 10V | 17.5 нCVgs = 10V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||