На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMHC6A07N8TC | ZXMHC6A07T8TA | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC | SOT-223 (8 leads), SM8 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <870 мВт | <1.3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 166 пФVds = 40V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.39 А | <1.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <250 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V | <300 мОмId, Vgs = 1.8A, 10V |
Заряд затвору | QG | 3.2 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 4 | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <1.28 А | <1.3 А |