На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMHC3A01N8TC | ZXMHC3A01T8TA | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-SOIC | SOT-223 (8 leads), SM8 |
Виробник | Виробник | Diodes Inc | Diodes/Zetex |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <870 мВт | <1.3 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 190 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.17 А | <2.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <125 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V | <120 мОмId, Vgs = 2.5A, 10V |
Заряд затвору | QG | 3.9 нCVgs = 10V | 3.9 нCVgs = 15V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 4 | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <1.64 А | <2 А |