На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMD63P03XTA | ZXMD63P03XTC | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <870 мВт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 270 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 P-Channel (Dual) | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <185 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 7 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |