ZXMD63N02XTC

ZXMD63N02, ZXMD63N02XTA, ZXMD63N02XTC

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрZXMD63N02XTAZXMD63N02XTC
Корпус мікросхеми
Корпус
8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP,
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Потужність
P
<870 мВт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
350 пФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<2.4 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
2 N-Channel (Dual)
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<130 мОмId, Vgs = 1.7A, 4.5V
Заряд затвору
QG
6 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate
Кількість однотипних елементів в одному корпусі
Елементів
2