На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ZXMD63C03XTA | ZXMD63C03XTC | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-MSOP, Micro8™, 8-uMAX, 8-uSOP, | |
Виробник | Виробник | Diodes/Zetex | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.04 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 290 пФVds = 25V | 290 пФVds = 25 V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.3 А | <2 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <135 мОмId, Vgs = 1.7A, 10V | |
Заряд затвору | QG | 8 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <2 А | (не задано) |