На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | VWM200-01P | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | V2-PAK |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <210 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <5.2 мОмId, Vgs = 100A, 10V |
Заряд затвору | QG | 430 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 6 |