На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | VMM650-01F | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Y3-Li |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <680 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | 2 N-Channel (Dual) |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.2 мОмId, Vgs = 500A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 1.44 мкCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |