На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | US6M1TR | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TUMT6 |
Виробник | Виробник | Rohm Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <1 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 70 пФVds = 10V |
Постійний струм стоку | IDSS | <1.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <240 мОмId, Vgs = 1.4A, 10V |
Заряд затвору | QG | 2 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <1 А |