На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TPCF8402(TE85L) | TPCF8402(TE85L,F) | TPCF8402(TE85L,F,M | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | VS-8 (2-3U1B) | VS-8 (2-3U1B) | |
Виробник | Виробник | Toshiba | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Потужність | P | <530 мВт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 470 пФVds = 10V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 2A, 10V | ||
Заряд затвору | QG | 10 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 | ||
Постійний струм стоку другого транзистора | IDSS2 | <3.2 А | ||