На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | TPC8406-H(TE12LQ,M | |
|---|---|---|
Виробник | Виробник | Toshiba |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Потужність | P | <750 мВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 650 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <6.5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N and P-Channel |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <27 мОмId, Vgs = 3.3A, 10V |
Заряд затвору | QG | 11 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |
Кількість однотипних елементів в одному корпусі | Елементів | 2 |